消息稱三星與長江存儲(chǔ)重磅合作，V10 NAND將使用中國企業(yè)專利
據(jù)韓媒ZDNet近日?qǐng)?bào)道，三星可能將使用中國長江存儲(chǔ)的混合鍵合專利，從其 V10(第10代)NAND開始。
報(bào)道稱，三星計(jì)劃于2025年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其V10 NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。報(bào)道還提到，三星和SK海力士據(jù)說正在與長江存儲(chǔ)協(xié)商一項(xiàng)專利協(xié)議。
據(jù)悉，長江存儲(chǔ)已率先在閃存中使用了晶棧 Xtacking 技術(shù)，該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
報(bào)道稱，大約四年前，長江存儲(chǔ)在該領(lǐng)域建立了強(qiáng)大的專利組合。而三星之前在NAND生產(chǎn)中使用了COP(Cell on Peripheral)技術(shù)，其中外圍電路放置在一個(gè)晶圓上，而單元堆疊在其上方。然而，隨著層數(shù)超過400層，對(duì)下層外圍的壓力增大會(huì)影響可靠性，因此需要采取替代方案。
知情人士表示，美國Xperi、長江存儲(chǔ)和臺(tái)積電擁有大多數(shù)混合鍵合專利。三星認(rèn)為在下一代NAND如V10、V11和V12中很難繞過現(xiàn)有專利，因此選擇與長江存儲(chǔ)合作。
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