美國專利商標(biāo)局發(fā)布半導(dǎo)體試點項目
2023年12月1日，美國專利商標(biāo)局(USPTO)發(fā)布了半導(dǎo)體技術(shù)試點項目，旨在支持2022年芯片法案，加快對提高半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)量、降低半導(dǎo)體制造成本和加強(qiáng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的創(chuàng)新專利申請的審查，以鼓勵半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的研究、開發(fā)和創(chuàng)新，提供公平的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)，激勵半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的投資。
根據(jù)試點項目，半導(dǎo)體設(shè)備制造的某些工藝或裝置技術(shù)的合格申請將被提前審查(授予特殊地位)，直到專利審查員發(fā)出第一次審查意見通知書。申請人須使用規(guī)定的申請表及時提交特殊申請，申請?zhí)峤坏慕刂箷r間為2024年12月2日，或申請總數(shù)達(dá)到1000件之前(以較早者為準(zhǔn))。
具體要求：
(1)申請條件：非臨時申請且非繼續(xù)申請;根據(jù)《美國法典》第35編第120、121、365(c)或386(c)條規(guī)定，主張1個優(yōu)先權(quán)或指定進(jìn)入美國國家階段的正式申請。
(2)技術(shù)要求：專利申請必須至少包含一項權(quán)利要求，該權(quán)利要求涉及制造半導(dǎo)體器件的工藝或裝置，并與合作專利分類(CPC)中的H10(半導(dǎo)體器件;未另作規(guī)定的固態(tài)電子器件)或H01L(不屬于H10類別的半導(dǎo)體器件)中的一個或多個技術(shù)概念相對應(yīng)。
(3)申請方式：在提交申請或進(jìn)入國家階段時，必須通過專利中心(Patent Center)，以DOCX格式提交說明書、權(quán)利要求書和摘要的電子文檔。
(4)申請時間：根據(jù)《美國法典》第35編第371條的規(guī)定提交申請/進(jìn)入國家階段，或在申請?zhí)峤蝗?進(jìn)入國家階段日后30天內(nèi)提交特別申請。
(5)提交材料：申請人必須附上PTO/SB/467表單(包含申請書及必須認(rèn)證文件)，并通過專利中心提交電子版。
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