技術(shù)標(biāo)引項(xiàng)分析中的“找人”還包括對(duì)真正的產(chǎn)出相關(guān)技術(shù)的自然人及其團(tuán)隊(duì)的發(fā)掘和分析，鎖定具有所需技術(shù)特點(diǎn)的發(fā)明人及發(fā)明人團(tuán)隊(duì)，深入地分析和了解具體發(fā)明人及其團(tuán)隊(duì)的技術(shù)成果特點(diǎn)，同時(shí)，也可以在這個(gè)過程中，分析發(fā)明團(tuán)隊(duì)中各個(gè)發(fā)明人之間的配合關(guān)系和傳承關(guān)系等，推測(cè)并借鑒優(yōu)秀發(fā)明團(tuán)隊(duì)的搭建思路。
01、技術(shù)制造者的研究方向分析
案例1：英特爾在計(jì)算機(jī)指令系統(tǒng)領(lǐng)域的主要發(fā)明人分析
英特爾在計(jì)算機(jī)指令系統(tǒng)領(lǐng)域發(fā)明人排序
圖表來源：楊鐵軍. 產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告(第40冊(cè))高端通用芯片[M].北京：知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社，2016.
在英特爾在計(jì)算機(jī)指令系統(tǒng)領(lǐng)域，按發(fā)明人提交的發(fā)明數(shù)量進(jìn)行排序，可以看出其中瓦爾排名第一，且其提交的45件專利申請(qǐng)，均是作為第一發(fā)明人，由此可見這位發(fā)明人在研發(fā)團(tuán)隊(duì)中的超然地位，主導(dǎo)著研發(fā)團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新力，尤其是其并未作為非第一發(fā)明人提交過專利申請(qǐng)，因而可以推測(cè)出該發(fā)明人很可能并非是在英特爾逐步成長起來的，而是外部聘請(qǐng)的技術(shù)專家，才能在一開始就以第一發(fā)明人的身份進(jìn)行專利申請(qǐng)。反觀排名第二的托爾和排名第三的凡倫天，二者作為非第一發(fā)明人分別提交了12件和20件專利申請(qǐng)，可以看出這兩位發(fā)明人并非一開始就作為其研發(fā)團(tuán)隊(duì)的主導(dǎo)，而是逐步成長起來的。
英特爾在計(jì)算機(jī)指令系統(tǒng)領(lǐng)域第一發(fā)明人瓦爾在各技術(shù)分支的申請(qǐng)分布
圖表來源：楊鐵軍. 產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告(第40冊(cè))高端通用芯片[M].北京：知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社，2016.
對(duì)英特爾排名第一的瓦爾提交的45件發(fā)明專利設(shè)計(jì)的領(lǐng)域進(jìn)行分析，設(shè)計(jì)5個(gè)一級(jí)技術(shù)分支和18個(gè)二級(jí)技術(shù)分支，覆蓋了報(bào)告研究對(duì)象71.4%的一級(jí)技術(shù)分支和40.9%的二級(jí)技術(shù)分支，可見其在計(jì)算機(jī)指令系統(tǒng)中涉獵甚廣，對(duì)英特爾計(jì)算機(jī)指令系統(tǒng)創(chuàng)新的影響度較高。
02、技術(shù)制造者的合作研發(fā)
案例2：三星3D NAND領(lǐng)域研發(fā)人員的合作關(guān)系
三星3D NAND領(lǐng)域研發(fā)人員的合作關(guān)系
圖表來源：張茂于. 產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告(第50冊(cè))芯片先進(jìn)制造工藝[M].北京：知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社，2017.
三星3D NAND領(lǐng)域研
圖表來源：張茂于. 產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告(第50冊(cè))芯片先進(jìn)制造工藝[M].北京：知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社，2017.
對(duì)三星的發(fā)明人進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，可以獲知有3個(gè)主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，分別是金汗洙團(tuán)隊(duì)(第一團(tuán)隊(duì))，黃棋鉉團(tuán)隊(duì)(第二團(tuán)隊(duì))，樸泳雨團(tuán)隊(duì)(第三團(tuán)隊(duì))。從合作程度上看，三個(gè)團(tuán)隊(duì)之間兩兩合作，合作申請(qǐng)所占比例在16%-18%，其合作度約為1/6.從技術(shù)上看，對(duì)于堆疊方式，第一團(tuán)隊(duì)涉獵簡單堆疊、垂直溝道和垂直柵型三種堆疊方式，第二團(tuán)隊(duì)涉獵垂直溝道，第三團(tuán)隊(duì)涉獵垂直溝道和垂直柵型;對(duì)于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工藝，第一團(tuán)隊(duì)和第三團(tuán)隊(duì)的研發(fā)重點(diǎn)在層間互聯(lián)結(jié)構(gòu)以及光刻蝕刻和整體，第二團(tuán)隊(duì)的研發(fā)重點(diǎn)在溝道以及深溝沉積。對(duì)照三星最終量產(chǎn)的V-NAND技術(shù)可知，主要由第三團(tuán)隊(duì)完成了已上市的V-NAND快閃存儲(chǔ)器中使用的VG垂直柵結(jié)構(gòu)的研發(fā)，但三星研究過多種方案，特別是在技術(shù)先進(jìn)性較高的垂直溝道堆疊結(jié)構(gòu)研發(fā)方面，三大團(tuán)隊(duì)均有參與，投入了較強(qiáng)的力量。
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