英諾賽科遞交上市申請，面臨來自競爭對手專利侵權(quán)訴訟
據(jù)香港證券交易所6月12日公告，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(下稱“英諾賽科”)已遞交上市申請，擬香港主板掛牌上市。聯(lián)席保薦人為中金公司和招銀國際。
資料顯示，英諾賽科成立于2015年，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)，注冊資本為8.34億元。
英諾賽科計劃將50%的募資資金用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能，計劃從2023年的每月1萬片晶圓擴大到未來5年每月7萬片晶圓;將15%的募資用于研發(fā)和擴大氮化鎵產(chǎn)品組合;此外，將募資用于擴大分銷網(wǎng)絡(luò)等。
值得注意的是，英諾賽科面臨來自競爭對手的三項專利侵權(quán)訴訟，如果判決不利，可能會面臨禁止生產(chǎn)或銷售涉案產(chǎn)品，或責(zé)令支付賠償?shù)娘L(fēng)險。
據(jù)相關(guān)媒體報道，2023年，氮化鎵(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地區(qū)法院以及美國國際貿(mào)易委員會提起訴訟，稱英諾賽科侵犯了其四項專利，涵蓋了EPC專有的增強型氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計和大批量制造工藝的核心方面。
今年3月，英飛凌在其官網(wǎng)發(fā)布消息稱，為防止自己擁有的與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的美國專利收到侵犯，對英諾賽科提起訴訟，且正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權(quán)利要求涵蓋了氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件的核心方面，其中包括可實現(xiàn)英飛凌專有的氮化鎵(GaN)器件可靠性和性能的創(chuàng)新。
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