誰能想到，被半導(dǎo)體巨頭英特爾（Intel）視為“眼中釘”的一件美國專利，持有者竟是一家國內(nèi)的科研機(jī)構(gòu)——中國科學(xué)院微電子研究所（IMECAS）。
據(jù)
國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會(huì)消息，7月28日下午審理了201110240931.5(“FinFET專利”)
發(fā)明專利的無效申請(qǐng)。無效申請(qǐng)的請(qǐng)求人是Intel(中國)有限公司，而專利權(quán)人為中國科學(xué)院微電子研究所(下稱“微電子所”)。
2018年，微電子所把英特爾告了
據(jù)悉，這是Intel為應(yīng)對(duì)微電子所2018年發(fā)起的專利侵權(quán)訴訟而采取的措施。在此之前，英特爾已經(jīng)先后5次在中美兩地對(duì)涉案專利及其美國同族專利發(fā)起無效申請(qǐng)，均以失敗告終。
2018年2月，微電子所將一紙發(fā)明專利侵權(quán)訴訟送于北京高院，被告為英特爾、戴爾（中國）有限公司和北京京東世紀(jì)信息技術(shù)有限公司。微電子所訴稱，英特爾酷睿（Core）系列處理器侵犯了其名為“半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法”的FinFET專利，要求英特爾停止侵權(quán)，賠償至少2億元人民幣，并承擔(dān)訴訟費(fèi)用，同時(shí)申請(qǐng)法院下達(dá)禁令。
北京市高級(jí)人民法院于2018年3月立案，立案同時(shí)，英特爾首次向復(fù)審委提出FinFET專利無效申請(qǐng)。
2018年4月24日，北京高院開庭審理了一次，審判日期尚未確定。在此期間，英特爾為應(yīng)對(duì)訴訟做了大量工作。當(dāng)年9月，復(fù)審委組織口審。
2019年1月31日，國家
知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會(huì)針對(duì)英特爾的無效請(qǐng)求宣告：維持微電子所涉案專利的全部專利權(quán)有效。中科院微電子所官網(wǎng)在其官網(wǎng)“專利及產(chǎn)業(yè)化”欄目中稱，這標(biāo)志著在世界集成電路最先進(jìn)的芯片制造領(lǐng)域，我國第一次向國際半導(dǎo)體龍頭企業(yè)發(fā)起的專利維權(quán)訴訟取得了重大階段性勝利，表明微電子所在集成電路制造最先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域布局的專利質(zhì)量，經(jīng)得起堪稱在技術(shù)和法律上世界最強(qiáng)的公司的真槍實(shí)彈的挑戰(zhàn)。
多次提出無效申請(qǐng)，多次被否決
2018年9月和2019年3月，英特爾曾先后兩次向美國專利商標(biāo)局提交申請(qǐng)，申請(qǐng)F(tuán)inFET專利的美國同族專利9070719（719專利）無效。USPTO分別于2019年3月和9月駁回英特爾申請(qǐng)。
英特爾不接受此結(jié)果，分別于2019年4月和11月，向USPTO及其POP提交復(fù)審請(qǐng)和請(qǐng)?jiān)笗|(zhì)疑USPTO的審查決定。2020年1月，USPTO駁回英特爾對(duì)2019年4月提出的復(fù)審請(qǐng)求。6月，美國專利審判和上訴委員會(huì)（PTAB）駁回英特爾重審請(qǐng)求。
既然涉案專利組合無論在中國還是美國，英特爾都沒能夠無效掉，說明其穩(wěn)定性確實(shí)很高，英特爾在與微電子所的專利訴訟中已沒有多少勝算，一再對(duì)同一專利提出無效申請(qǐng)有些拖時(shí)間的嫌疑。
對(duì)于本次訴訟，英特爾官方對(duì)《電子工程專輯》表示：“我們不對(duì)正在進(jìn)行中的訴訟細(xì)節(jié)作評(píng)論。我們要強(qiáng)調(diào)的是，英特爾會(huì)為我們的產(chǎn)品和客戶辯護(hù)；但該訴訟尚未判決且指控未經(jīng)證實(shí)，尚未存在既定的償付責(zé)任，我們也未曾因此支付過任何賠償。英特爾是半導(dǎo)體制造和研發(fā)領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者，也是第一家基于自己的技術(shù)研發(fā)將14納米 FinFET 產(chǎn)品推向市場的公司。英特爾在全球和中國均擁有卓越的FinFET 技術(shù)、半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的專利組合，這體現(xiàn)了我們的領(lǐng)導(dǎo)地位。英特爾扎根中國35年，擁有超過10000名員工，這讓我們引以為榮，我們將繼續(xù)與中國客戶攜手同行、遠(yuǎn)行。我們期待本次爭議得到友好、公平地解決。”
實(shí)打?qū)嵉膶＠|(zhì)量
涉案的FinFET專利是一項(xiàng)與FinFET工藝相關(guān)的發(fā)明專利，而微電子所在FinFET領(lǐng)域?qū)＠麑?shí)力非常雄厚。國外專利咨詢公司LexInnova在2015年進(jìn)行的FinFET領(lǐng)域?qū)＠{(diào)查研究顯示，中科院微電子所
專利申請(qǐng)數(shù)量在該領(lǐng)域排名第11位，專利申請(qǐng)質(zhì)量被評(píng)估為全球第一。
誕生于1958年的微電子所， 擁有兩個(gè)主要實(shí)驗(yàn)室，九個(gè)研發(fā)中心，700多名研究人員。微電子所研究方向主要包括集成電路、高可靠器件與電路、物聯(lián)網(wǎng)等，并圍繞上述領(lǐng)域提交中國專利申請(qǐng)5000多件，且提交了500多件外國專利申請(qǐng)，轉(zhuǎn)讓專利158件，達(dá)成專利許可1505件。除此之外，為了將專利資產(chǎn)轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟(jì)效益，該所還設(shè)立了專利運(yùn)營服務(wù)機(jī)構(gòu)——中科
知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理服務(wù)有限公司，其業(yè)務(wù)包括了專利許可、轉(zhuǎn)讓、質(zhì)押融資、訴訟等。
據(jù)中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心資料顯示，該中心共申請(qǐng)發(fā)明專利1475項(xiàng)（含國外發(fā)明專利申請(qǐng)389項(xiàng)），其中已獲授權(quán)932項(xiàng)發(fā)明專利（含國外授權(quán)發(fā)明專利333項(xiàng)）。這些專利涵蓋了集成電路制造先進(jìn)技術(shù)代的主要技術(shù)領(lǐng)域，例如鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）、高k金屬柵（HKMG）、源漏工藝等。
據(jù)公開資料，F(xiàn)inFET 是一種晶體管設(shè)計(jì)，與普通平面晶體管相比，具有電學(xué)性能良好、可擴(kuò)展性強(qiáng)和兼容性較高等優(yōu)勢，備受業(yè)界的矚目。值得注意的是，韓國高級(jí)科學(xué)技術(shù)研究院也曾就 FinFET 相關(guān)技術(shù)與 Samsung 引發(fā)專利糾紛，最終 Samsung 敗訴并賠償 4 億美金而告終。由此可見，F(xiàn)inFET 相關(guān)技術(shù)具有較高的商業(yè)價(jià)值。
同時(shí)，微電子所也不缺乏與國際性大企業(yè)進(jìn)行“專利戰(zhàn)”的經(jīng)驗(yàn)。2017年5月，中科院就曾在深圳和廣州對(duì)美國LED制造商CREE及其國內(nèi)子公司發(fā)起專利侵權(quán)訴訟，每起案件賠償經(jīng)濟(jì)損失100萬元。
文源：綜合OFweek、電子工程
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