三星電子被控在微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域侵犯哈佛大學兩項專利
綜合《彭博法律》和路透社報道，哈佛大學本周一向美國得克薩斯州東區(qū)地方法院提交起訴書，指控三星電子在微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域侵犯了兩項專利。
據(jù)了解，哈佛大學化學系教授 Roy G. Gordon 等是這兩項專利的發(fā)明人，哈佛大學校方是這些專利的受讓人，擁有對應(yīng)專利的完整權(quán)利。
這兩項專利涉及含鈷、鎢薄膜的沉積方法，分別名為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”，哈佛大學稱“這種薄膜對于計算機和手機等眾多產(chǎn)品的關(guān)鍵部件至關(guān)重要”。
哈佛大學認為三星電子在代工高通驍龍 8 Gen 1 處理器等的過程中，侵犯哈佛大學同氮化鈷薄膜制備有關(guān)的專利，涉及三星 S22 智能手機等產(chǎn)品。
而三星在生產(chǎn) LPDDR5X 等內(nèi)存時，在未經(jīng)授權(quán)的情況下實踐了哈佛大學鎢層沉積專利中至少一項權(quán)利要求的每個要素，三星的 Galaxy Z Flip5 折疊屏手機即使用了相關(guān) LPDDR5X 內(nèi)存產(chǎn)品。
哈佛大學在起訴書中要求三星電子停止侵權(quán)并支付未指明金額的金錢賠償。
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